
台英簽署「半導體聯合培力計畫瞭解備忘錄」,深化雙邊科技人才培育及交流
【記者張玉泰/台北報導】
我國駐英國代表姚金祥大使及英國在台辦事處代表包瓊郁(Ruth Bradley-Jones)在外交部政務次長吳志中及英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士(Dr. Dave Smith)的見證下,在外交部分別以視訊及實體方式簽署「台英半導體聯合培力計畫瞭解備忘錄」(Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the Semiconductor Joint Skills Project),彰顯台英對半導體人才培育及交流的共同願景。

吳政務次長致詞表示,英國創新科技部今年第3度率團來台參加台灣國際半導體展,雙邊相關領域互動本即密切,現進一步就科技人才的交流培育進行政府間合作並簽署瞭解備忘錄。基於台英在半導體產業的互補優勢,此一發展對雙邊關係深具里程碑意義。我國駐英國代表姚金祥大使則指出,台英繼今年6月簽署「提升貿易夥伴關係」(ETP)下3項支柱協議後,再透過上述瞭解備忘錄持續推升既有豐沛的合作動能,建立雙邊半導體領域學子的互訪交流機制,有助於提升雙邊經濟、民主及半導體供應鏈韌性。

英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士致詞表示,全球正面臨科技人才短缺,樂見台英深化人才連結並創造共同價值。台灣具有強大科技製造能力,與英國創新研發優勢互補,未來可就化合物半導體、矽光子及量子技術等前瞻領域持續提升合作。此外,英國在台辦事處代表包瓊郁強調,本計畫是台灣與歐洲國家就半導體人才培育簽署備忘錄的首例,將嘉惠雙方學子及產業。所謂「十年樹木,百年樹人」,期許台英攜手共築科技未來。

外交部秉承賴清德總統所提出的「全球半導體民主供應鏈夥伴倡議」方針,透過本瞭解備忘錄與國內相關機關合力推動台英科技實質合作,共同建構以價值為基礎的科技韌性供應鏈,積極落實「總合外交」的理念。
簽署儀式另有經濟部、國家科學及技術委員會、國家實驗研究院、國際半導體產業協會(SEMI)、國立台灣大學、國立陽明交通大學、國立成功大學、國立中山大學、英國創新局及英國國家物理實驗室等代表出席見證,共襄盛